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就光响应速度而言，年1年如图3b，单元数量的增加会导致平行式同质结光探测器的响应时间增加，这是由于作为载流子散射中心的势垒数量的增加。以此SiO2纳米阵列模板覆盖在6层MoS2上，月月内月份月度仍采用ALE法对6层MoS2进行减薄，月月内月份月度直至减薄至单层，最后采用HF去除SiO2纳米阵列模板，得到了阵列化的单层/多层MoS2同质结。

它们的光电特性，电力如光响应性和光响应时间，如图2b-g所示。因此，时间与没有同质结的MoS2沟道相比，单层/多层MoS2同质结中会有更多的光生载流子。接着，安排作者研究了ALE周期数对光响应度和光响应时间的影响，其结果如图3c和3d所示。

图3a所示，江苏交易平行式同质结的光响应度随着单元数量的增加而降低，这是由于阻碍载流子输运的能量势垒数量的增加所致。年1年图1d-1f为条纹状SiO2纳米阵列模板

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